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中國記憶體大廠長鑫存儲的母公司睿力集成電路有限公司近日宣布,他們計畫投資至少171億人民幣(約合24億美元)在上海建造一座先進封裝廠。根據上海市政府的官方文件顯示,睿力集成已在6月份與當地政府簽署合約,並獲得建廠所需的土地。新廠預計將於2026年中開始生產,並專注於各種先進封裝技術,包括透過矽穿孔(TSV)互連以實現記憶體堆疊。
新廠的封裝能力預計每月可達3萬件。為了支持該項目的建設,睿力集成利用了包括兆易創新在內的多個投資者的資金。根據兆易創新於今年3月提交的文件,睿力集成已與多家投資方達成協議,總融資額高達108億人民幣。
若這些計畫順利實施,長鑫存儲將負責生產HBM DRAM晶片,而睿力集成會負責這些晶片的堆疊工作。除了HBM記憶體外,該先進封裝廠可能還會提供其他先進封裝服務。
中國急需自給自足的HBM記憶體,此前傳聞長鑫存儲曾與晶片封測公司通富微電合作開發HBM晶片樣品。此外,中國科技巨頭華為也計畫在2026年前與其他國內公司合作生產HBM2晶片。這筆投資將如何提升中國在半導體技術,特別是先進封裝技術上的實力,值得關注和觀察。
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