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三星計劃2026年量產「先進3.3D封裝」技術

三星計劃2026年量產「先進3.3D封裝」技術

三星計劃2026年第二季量產3.3D先進封裝技術,通過銅再分配中介層取代矽中介層,預計將大幅降低生產成本,提升晶片性能,吸引更多客戶,搶占市場產能,並在與其他半導體製造商的競爭中取得優勢。

三星計劃2026年量產3.3D先進封裝

新聞摘要:

  • 三星目標2026年第二季量產3.3D先進封裝技術
  • 新技術將降低生產成本,吸引更多客戶
  • 三星藉由開發銅再分配中介層來取代昂貴的矽中介層

瞄準台積電先進封裝,三星計劃2026年量產3.3D先進封裝

根據韓國媒體 ETNews 的報導,韓國三星電子正在積極開發下一代半導體封裝技術,計劃在2026年推出名為「3.3D先進封裝技術」。這項技術主要是針對人工智慧(AI)晶片設計,預計將在2026年第二季開始量產。

目前,市場上常用的2.5D先進封裝技術是通過矽中介層來連接邏輯晶片和高頻寬記憶體(HBM)。矽中介層能夠連接不同種類的半導體,但其價格昂貴且製造複雜。而三星計劃透過引入銅再分配(RDL)中介層來取代矽中介層,預計可使材料成本降低約90%。新技術還能在不顯著降低晶片性能的情況下,大幅減少矽的使用量。

三星的這項技術被命名為3.3D封裝,意思是在3D堆疊邏輯晶片後,再進一步連接HBM,從而提升性能且降低成本。此外,三星也將引入面板級封裝(PLP)技術。PLP技術是將晶片封裝在方形面板,而非圓形晶圓,能進一步提高晶片的產能。

三星表示,該技術的商業化後,將在不損失晶片性能的前提下,工藝成本降低22%。這將有助於吸引更多訂單,尤其是在價格敏感的市場中,讓三星在與其他半導體製造商的競爭中取得優勢。

一位韓國半導體產業人士指出,只要能夠滿足客戶對人工智慧等先進晶片的價格和性能需求,並成功搶占市場產能,三星將在市場上獲得領先地位。

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