台積電2奈米良率飆90％ 英特爾「同等級產品」曝光結局尷尬了？

臺積電先進製程競賽白熱化：2奈米穩步推進，A16技術選路與英特爾策略對決

你有沒有好奇，晶圓代工龍頭臺積電最新、最頂尖的先進製程技術發展得怎麼樣了？特別是大家常聽到的2奈米，以及下一代的A16。同時，他們的勁敵英特爾又打算怎麼追趕？這場技術競賽不只影響這些大公司，也牽動著我們生活中各種高科技產品的未來。

近期，臺積電的營收數字反映了宏觀經濟的變動，但同時，他們在看不見的技術前線，正緊鑼密鼓地推進藍圖。到底臺積電的2奈米和A16有什麼厲害之處？他們在關鍵技術（像是昂貴的High-NA EUV設備）上做了什麼決定，為什麼跟英特爾不一樣？這篇文章將用比較白話的方式，帶你一起看懂這場改變未來科技樣貌的先進製程大戰。

• 技術競爭：臺積電與英特爾在先進製程上的競爭正日益激烈。
• 市場影響：這場競賽將會影響生活中多種高科技產品的發展。
• 未來趨勢：隨著技術進步，AI 和 HPC 的需求也會持續攀升。

新台幣匯率攪動營收，臺積電短期挑戰浮現

先來看看數字的部分。臺積電最近公布的5月營收是新台幣3205.2億元。這個數字雖然比4月減少了8.3%，但跟去年同期比起來，可是大幅成長了39.6%！而且這是歷年來5月份的最高營收，也是單月歷史次高的紀錄，這說明了市場對臺積電晶片的需求依舊強勁。

不過，你可能聽說了，最近新台幣在5月單月「狂升」了將近7%。對於像臺積電這樣大部分營收來自海外、以美元計價的公司來說，新台幣升值會帶來「匯兌損失」。簡單來說，就是原本賺到的美元，換算回新台幣時變少了。臺積電的董事長曾經提過，新台幣每升值1%，大約會讓公司的營利率降低0.4個百分點。所以，這次的新台幣急升，確實可能對臺積電短期的營收和獲利造成一些壓力，這是外部經濟環境帶來的挑戰。

臺積電2奈米穩步向前：技術轉型與客戶高度青睞

撇開短期的匯率波動，臺積電在先進製程的腳步可沒有停下來。大家最關注的2奈米製程，目前正按照計畫，預計在2025年下半年正式量產。這是一個非常關鍵的技術節點，因為臺積電在2奈米將會迎來一個重要的「技術轉型」。

過去我們常聽到的電晶體技術是FinFET（鰭式場效電晶體），想像它像一個站起來的鰭片，可以讓電流行經的面積變大，進而提升效能並控制漏電。但在2奈米這個節點，臺積電將會改用全新的GAAFET（環繞式閘極場效電晶體）技術。你可以想像 GAAFET 把電晶體做得更像一條被閘極「環繞」住的細長通道，這樣對電流的控制力更好，能在同樣的面積下塞進更多電晶體，並且有更好的效能和更低的功耗。

一個令人振奮的訊號是，據說臺積電2奈米的客戶「設計定案」（也就是客戶基於這個技術設計好他們的晶片電路圖，準備進入試產階段）數量，在現階段已經是當年5奈米同期的四倍！這代表了市場對臺積電2奈米技術的高度信任與強勁需求。包括蘋果、超微、高通、聯發科，甚至未來的英特爾，預計都將是2奈米製程的潛在客戶。雖然傳聞中2奈米單片晶圓的售價可能超過3萬美元，非常昂貴，但客戶的積極程度顯示他們願意為了頂尖效能付出高價。

A16製程的策略選擇：背面供電上陣，但為何暫不擁抱High-NA EUV？

2奈米之後，臺積電已經在規劃更下一代的A16製程，預計在2026年下半年量產。這個節點將首次導入一項新的技術，叫做「背面供電」（Backside Power Delivery，簡稱 BSPD 或 SPR）。這是什麼意思呢？想像一下，傳統晶片的供電線路和傳輸訊號的線路都在晶片的同一面，這會讓線路變得非常擁擠。而背面供電，顧名思義，就是把提供電力的線路移到晶片的背面去。這樣做的好處是可以讓訊號線路有更多空間，減少干擾，進一步提升晶片的效能，並降低電阻帶來的功耗。

然而，在A16這個節點上，臺積電做了一個讓市場有些意外的決定：暫時不採用目前最先進的高數值孔徑（High-NA）EUV微影設備。EUV 是一種用來在晶圓上刻畫極微細電路圖的光刻技術，而 High-NA EUV 則是現有 EUV 的升級版，理論上可以刻出更小、更精細的圖案，對於推進更先進的製程非常有幫助。生產 EUV 設備的荷商 ASML 是這個領域的獨家供應商，而 High-NA EUV 設備單價非常高昂，據估計超過3.5億歐元。

為什麼臺積電暫時不採用 High-NA EUV 呢？主要有幾個考量：

• 成本考量： High-NA EUV 設備及其相關的生產流程成本極高。
• 技術成熟度與風險： 臺積電可能認為 High-NA EUV 技術目前應用於量產仍存在一些風險或效率問題。
• 現有 EUV 優化： 臺積電認為透過優化現有的 EUV 技術，結合如背面供電等其他創新，已經足夠滿足 A16 的效能目標。

這也符合臺積電過去在技術選擇上比較穩健的風格。例如，當年從10奈米邁向7奈米時，雖然競爭對手三星較早嘗試將 EUV 導入量產，但臺積電選擇先用成熟的 DUV（深紫外光）技術達到7奈米，等 EUV 技術更成熟後才導入7奈米加強版和後續的5奈米、3奈米製程，並因此取得了良率和產能的優勢。在3奈米技術從 FinFET 轉向 GAAFET 的進程上，臺積電也選擇先以 FinFET 技術推出了 N3、N3E 等多個版本，讓客戶有更多選擇，直到2奈米才導入全新的 GAAFET，這都顯示了其在技術推進上的策略性考量。

與英特爾的策略對決：技術路線與節點佈局差異

與臺積電不同的是，其主要競爭對手英特爾在先進製程的策略上顯得更為積極。英特爾已經取得了業界首台 High-NA EUV 設備，並計畫將其應用於他們的 18A（相當於1.8奈米）及未來的 14A 製程，目標是在2025年迎頭趕上甚至超越臺積電的技術節點。

市場上常會把英特爾的 18A 拿來和臺積電的 A16 或 2奈米進行比較。但單純比較某一個性能指標（例如時脈速度）可能不足夠全面。就像我們買車不只看最高速度，還要看油耗、舒適度、空間、價格一樣。臺積電的策略是提供多元化的節點選項，例如在2奈米家族可能會有 N2、N2P（性能加強版）、N2X（更高性能版）等，再到導入背面供電的 A16。這些不同的節點會在效能、密度（能在同樣面積塞多少電晶體）、成本、功耗之間提供不同的平衡選項，讓客戶可以根據自己產品的需求（例如手機晶片重視功耗，伺服器晶片重視效能）選擇最適合的製程。

英特爾則更著重於快速推進其製程名稱上的數字，並提早導入 High-NA EUV 這樣的尖端設備。這種不同的策略各有優劣。英特爾有可能憑藉提早採用新設備而彎道超車，但也可能面臨更高的技術風險和成本壓力；而臺積電則透過穩健的技術推進和多元的節點佈局，鞏固現有客戶並吸引新客戶，風險相對可控。這場兩大巨頭在先進製程技術路線和策略上的較量，將是未來幾年半導體產業最大的看點之一。

AI與HPC需求狂飆：催生先進製程檢測分析龐大需求

推動這場先進製程競賽加速進行的，主要原因之一就是AI（人工智慧）和 HPC（高效能運算）需求的爆炸性成長。從大型語言模型到各種需要強大算力的應用，都對晶片的運算能力提出了前所未有的要求。這使得像 NVIDIA 的 GPU、各大雲端服務商（CSP）自己設計的 AI 晶片（ASIC）需求大增，而這些晶片都需要最頂尖的先進製程才能製造。

隨著晶圓代工廠（如臺積電）為了滿足這些需求而加速研發更複雜的技術（如2奈米的 GAAFET 和 A16 的背面供電 SPR），以及在全球各地擴建新廠，對於半導體製造過程中的「檢測」和「分析」需求也同步飆升。

新的電晶體架構和複雜的生產工藝，意味著更容易出現製造上的小問題。這就需要更精密的「材料分析」（MA）和「故障分析」（FA），才能確保良率、找出問題並改進生產流程。例如，GAAFET 和 SPR 等新技術涉及全新的材料和結構，檢測分析公司需要使用非常先進的設備（如穿透式電子顯微鏡 TEM、聚焦離子束 FIB 等）來檢查晶片內部結構是否正確，甚至分析微小的材料成分。這個領域的需求水漲船高，也帶動了相關供應鏈公司的成長，例如專門提供半導體材料分析與故障分析服務的閎康科技，就是受益於這波先進製程檢測需求而營收穩健成長的代表。

總結：技術競賽方興未艾，未來走向值得關注

總的來看，儘管面臨新台幣升值帶來的短期營收換算壓力，臺積電在先進製程領域的地位依然穩固，特別是2奈米製程憑藉技術創新和客戶的高度青睞，預計在明年量產後將成為重要的成長動能。再往後的 A16 製程，導入背面供電技術也顯示了其持續推進技術極限的決心。

與此同時，主要競爭對手英特爾透過積極導入如 High-NA EUV 等新設備，展現了重返晶圓代工榮耀的企圖心。兩家公司在技術路線、設備選擇和節點佈局上的差異，構成了這場先進製程大戰的核心看點。

這場競賽不單是臺積電與英特爾之間的較量，它牽動著全球半導體產業的方方面面，從上游提供材料和設備的廠商，到下游負責晶片封裝和檢測分析的公司，無不受到影響。隨著 AI 和 HPC 需求的持續噴發，對於更強大、更有效率晶片的需求只會越來越高，這意味著先進製程的研發與競爭還將持續白熱化。身為關注科技與財經發展的我們，這段過程絕對是精彩可期，值得持續觀察！

【免責聲明】本文旨在提供產業資訊與知識分享，內容不構成任何投資建議。投資有風險，請獨立思考並評估自身狀況後謹慎為之。

常見問題（FAQ）

Q：臺積電的2奈米製程預計何時量產？

A：預計在2025年下半年正式量產。

Q：什麼是背面供電技術？

A：是將電力供應線路設置在晶片背面，以減少擁擠並提升效能。

Q：比起傳統技術，GAAFET有何優勢？

A：GAAFET能在相同面積內容納更多電晶體，提供更好的效能及低功耗。